固态硬盘中的“格子”：容量翻倍，读写速度翻倍
固态硬盘的核心元器件是什么?当然是NAND颗粒了，它是固态硬盘存储数据的容器，也是固态硬盘中成本最高的部件，除了存储容量，它还直接关系到固态硬盘的读写速度、写入寿命以及价格。
从原理看，数据是以电荷的方式存储在NANDFLASH的存储单元中。如果说NAND FLASH是一个容器，存储单元就可看做容器中的一个个“格子”，根据格子中存储数据的位数不同，就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC，以及铠侠(原东芝)刚刚开发出来的HLC。
其实，从SLC到HLC，都是为了满足用户大量存储数据的需求，其中SLC每个存储单元可储存1bit数据，MLC可储存2bit数据，TLC可储存3bit数据，QLC可存储4bit数据，PLC可存储5bit数据。
而铠侠HLC(Hepta-level)使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，可存储数据达到了7bits，比QLC几乎翻倍。
由此可见，可见单个存储单元存储的数据的位数越高，NAND闪存颗粒的容量就越大，PCB上的存储芯片数量也随之减少，极大降低固态硬盘的制造成本。
而HLC的研制成功，则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进，固态硬盘的容量也能实现直接翻倍，以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。
当然，闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度，简单来说SLC最快、价格最贵，但早已停售;MLC次之，相关产品也基本绝迹。
目前市场主流产品为TLC，也有部分低价产品采用QLC，当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命，依然是SLC最高、MLC其次，然后是TLC，QLC依然被鄙视，而HLC也就可想而知了。
不过我们也不用过于担心，毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度，将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法，以及更大的SLC缓存，毕竟缓外速度还不及机械硬盘，恐怕这是谁都不希望看到的。
